Hur räknar man ut inbyggd spänning?

2024 Författare: Miles Stephen | [email protected]. Senast ändrad: 2023-12-15 23:40

De inbyggd potential (vid 300 K) är lika med f_i = kT/q ln(10¹⁶ x 9 x 10¹⁷/n_i²) = 0,77 V, med användning av kT/q = 25,84 mV och n_i = 10¹⁰ centimeter^-3. De inbyggd potential (vid 100°C) är lika med f_i = kT/q ln(10¹⁶ x 9 x 10¹⁷/n_i²) = 0,673 V, med kT/q = 32,14 mV och n_i = 8,55 x 10¹¹ centimeter^-3 (från exempel 20).

Följaktligen, vad är den inbyggda spänningen för en pn-övergång?

Det finns en " byggd -i" SPÄNNING vid p-n korsning gränssnitt som förhindrar penetration av elektroner in i p-sidan och hål in i n-sidan. När Spänning V är positiv ("framåt" polaritet) den exponentiella termen ökar snabbt med V och strömmen är hög.

Dessutom, hur mäter man barriärpotential? En vanlig voltmeter har ändlig ingångsimpedans vilket helt enkelt betyder att, till mäta en spänning över måste det gå någon (liten) ström genom voltmetern. Alltså till mäta den inbyggda potential av en diod med en voltmeter skulle kräva att den inbyggda potential "driva" en (liten) ström genom voltmetern.

Vad är då inbyggd spänning?

4.3. 1 Den byggd -i potential. De byggd -in potential i en halvledare är lika med potentialen över utarmningsområdet i termisk jämvikt. Det är också lika med summan av bulkpotentialerna för varje region, eftersom bulkpotentialen kvantifierar avståndet mellan fermienergin och den inneboende energin.

Vad menas med utarmningsregion?

Utarmningsområdet eller utarmningsskikt är en område i en P-N-övergångsdiod där inga mobila laddningsbärare finns. Utarmningslager fungerar som en barriär som motverkar flödet av elektroner från n-sidan och hål från p-sidan.